SuperViewW白光干涉晶圓3D形貌測(cè)量儀可測(cè)各類從超光滑到粗糙,、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級(jí)別工件的粗糙度,、平整度,、微觀幾何輪廓、曲率等。SuperViewW具有測(cè)量精度高,、操作便捷,、功能齊全、測(cè)量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點(diǎn),，測(cè)量單個(gè)精細(xì)器件的過程用時(shí)短,，確保了高款率檢測(cè)。白光干涉儀的特殊光源模式,，可以廣泛適用于從光滑到粗糙等各種精細(xì)器件表面的測(cè)量,。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1、干涉物鏡

不通倍率的鏡頭,，適應(yīng)于從超光滑到粗糙度各種表面類型的樣品,。

2、雙通道氣浮隔振系統(tǒng)

外接氣源和加壓裝置直接充氣的雙通道氣浮隔振系統(tǒng),，可有效隔離地面?zhèn)鲗?dǎo)的振動(dòng)噪聲,。

3、聲波隔振防護(hù)

儀器外殼與內(nèi)部運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)采用了分離式設(shè)計(jì),，有效隔離了聲波振動(dòng)的傳導(dǎo),。

4、水平調(diào)整裝置

傾斜調(diào)整旋鈕,，調(diào)整條紋寬度,，提高3D圖像的重建精度。

5,、便攜式操縱桿

采用人體工程學(xué)設(shè)計(jì),，集成了XYZ三軸位移和速度、光源亮度的自動(dòng)控制,，并配有緊急停止按鈕,。

6、真空吸附臺(tái)

專為半導(dǎo)體晶圓片定制的真空吸附臺(tái),，確保樣品在測(cè)量過程中不受空氣中微弱氣流擾動(dòng)的影像,。

7、3D重建算法

自動(dòng)濾除樣品表面噪點(diǎn),，在硬件系統(tǒng)的配合下,，測(cè)量精度可達(dá)亞納米級(jí)別。

自研3D顯微測(cè)量軟件平臺(tái)Xtremevision Pro

Xtremevision Pro

全自主開發(fā)的第二代顯微3D測(cè)量軟件平臺(tái),，集成了圖像掃描,、3D分析、影像測(cè)量,、自動(dòng)化測(cè)量等四個(gè)大的功能模塊,，能夠適配中圖W系列,、VT系列、WT系列所有3D儀器機(jī)型,，可自主識(shí)別機(jī)型種類,，二合一機(jī)型可在白光干涉和共聚焦顯微鏡中做到自動(dòng)切換掃描模式。

Xtremevision Pro 移植了中圖在影像閃測(cè)領(lǐng)域的成功經(jīng)驗(yàn),，重構(gòu)了顯微影像測(cè)量功能,，可針對(duì)微觀平面輪廓尺寸的點(diǎn)、線間的距離,、角度,、半徑等參數(shù)進(jìn)行直接測(cè)量和自動(dòng)匹配測(cè)量。

自動(dòng)化mark點(diǎn)識(shí)別坐標(biāo)定位自動(dòng)化功能

Mark點(diǎn)影像識(shí)別自動(dòng)坐標(biāo)位置校正,，多區(qū)域坐標(biāo)點(diǎn)自動(dòng)定位測(cè)量與分析,，可組合式完成粗糙度、輪廓尺寸的批量自動(dòng)化測(cè)量,。

自動(dòng)拼接功能

支持方形,、圓形、環(huán)形和螺旋形式的自動(dòng)拼接測(cè)量功能,，配合影像導(dǎo)航功能,，可自定義測(cè)量區(qū)域，支持?jǐn)?shù)千張圖像的無縫拼接測(cè)量,。

SuperViewW白光干涉晶圓3D形貌測(cè)量儀具有的測(cè)量晶圓翹曲度功能,，非常適合晶圓，太陽能電池和玻璃面板的翹曲度測(cè)量,，應(yīng)變測(cè)量以及表面形貌測(cè)量,。如針對(duì)芯片封裝測(cè)試流程的測(cè)量需求，SuperViewW1的X/Y方向標(biāo)準(zhǔn)行程為140*100mm,，滿足減薄后晶圓表面大范圍多區(qū)域的粗糙度自動(dòng)化檢測(cè),、鐳射槽深寬尺寸、鍍膜臺(tái)階高等微納米級(jí)別精度的測(cè)量,。而SuperViewW1-Pro 型號(hào)增大了測(cè)量范圍,，可覆蓋8英寸及以下晶圓，定制版真空吸附盤,，穩(wěn)定固定Wafer,；氣浮隔振+殼體分離式設(shè)計(jì)，隔離地面震動(dòng)與噪聲干擾,。

晶圓應(yīng)用案例

硅晶圓的粗糙度檢測(cè)

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,，硅晶圓的制備質(zhì)量直接關(guān)系著晶圓IC芯片的制造質(zhì)量，而硅晶圓的制備,，要經(jīng)過十?dāng)?shù)道工序,，才能將一根硅棒制成一片片光滑如鏡面的拋光硅晶圓，如下圖所示,，提取表面一區(qū)域進(jìn)行掃描成像,。

如圖，制備好的拋光硅晶圓表面輪廓起伏已在數(shù)納米以內(nèi),，其表面粗糙度在0.5nm左右,，由于其粗糙度精度已到亞納米量級(jí)，而在此量級(jí)上,，接觸式輪廓儀和一般的非接觸式儀器均無法滿足檢測(cè)要求,，只有結(jié)合了光學(xué)干涉原理和精密掃描模塊的光學(xué)3D表面輪廓儀才適用。

晶圓IC的輪廓檢測(cè)

晶圓IC的制造過程可簡單看作是將光罩上的電路圖通過UV蝕刻到鍍膜和感光層后的硅晶圓上這一過程,，其中由于光罩中電路結(jié)構(gòu)尺寸小,，任何微小的粘附異物和瑕疵均會(huì)導(dǎo)致制造的晶圓IC表面存在缺陷，因此必須對(duì)光罩和晶圓IC的表面輪廓進(jìn)行檢測(cè),。如圖是一塊蝕刻后的晶圓IC,，使用光學(xué)3D表面輪廓儀對(duì)其中一個(gè)微結(jié)構(gòu)掃描還原3D圖像，并測(cè)量其輪廓尺寸,。

晶圓IC減薄后的粗糙度檢測(cè)

在硅晶圓的蝕刻完成后,，根據(jù)不同的應(yīng)用需求，需要對(duì)制備好的晶圓IC的背面進(jìn)行不同程度的減薄處理,，在這個(gè)過程中,，需要對(duì)減薄后的晶圓IC背面的表面粗糙度進(jìn)行監(jiān)控以滿足后續(xù)的應(yīng)用要求。在減薄工序中,，晶圓IC的背面要經(jīng)過粗磨和細(xì)磨兩道磨削工序,，下圖是粗磨后的晶圓IC背面，選取其中區(qū)域進(jìn)行成像分析,。

如圖,，粗磨后的表面存在明顯的磨削紋路，而3D圖像顯示在左下部分存在一處凹坑瑕疵,，沿垂直紋理方向提取剖面輪廓并經(jīng)過該瑕疵,，在剖面輪廓曲線里可看到該處瑕疵zui大起伏在2.4um左右，而磨削紋理起伏zui大在1um范圍內(nèi)波動(dòng),，并獲取該區(qū)域的面粗糙度Sa為216nm,，剖面線的粗糙度Ra為241nm。

而在經(jīng)過細(xì)磨后,，晶圓IC背面的磨削紋理已基本看不出,，選取表面區(qū)域進(jìn)行成像分析。

如圖可知,，在經(jīng)過細(xì)磨之后,，晶圓IC背面的磨削紋理輪廓起伏已經(jīng)降到36nm附近,，其表面粗糙度也已經(jīng)從200多nm直降到6nm左右。

部分技術(shù)指標(biāo)

懇請(qǐng)注意：因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,，本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改,，恕不另行通知，不便之處敬請(qǐng)諒解,。

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